3DD13001P1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13001P1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO92

 Búsqueda de reemplazo de 3DD13001P1

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD13001P1 datasheet

 ..1. Size:182K  crhj
3dd13001p1.pdf pdf_icon

3DD13001P1

 5.1. Size:182K  crhj
3dd13001p.pdf pdf_icon

3DD13001P1

NPN R 3DD13001 P 3DD13001 P NPN VCEO 400 V IC 0.17 A Ptot Ta=25 0.6 W

 6.1. Size:529K  secos
3dd13001.pdf pdf_icon

3DD13001P1

3DD13001 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications A D B CLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 3DD13001-A 3DD13001-B E C F Range 17 23 20 26 G H 1Base 1 1 1 3 2Collector 2 2 2 Emitter 3Emitter 3 3 3

 6.2. Size:632K  jiangsu
3dd13001b.pdf pdf_icon

3DD13001P1

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13001B TRANSISTOR (NPN) FEATURE power switching applications TO-92 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Equivalent Circuit 13001 13001=Device code S 6B S 6B=Code 1 ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 3DD13001B TO-92 Bulk 1000pcs/Bag B-TA

Otros transistores... 3DD128FA7D, 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D, 3DD128FH8D, 3DD128Y8D, 3DD13001A1, 3DD13001P, TIP42, 3DD13002B1, 3DD13002B1-7, 3DD13002B1D, 3DD13002R1D, 3DD13002RUD, 3DD13003E6D, 3DD13003F1D, 3DD13003F3D