3DD13001P1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13001P1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
3DD13001P1 Datasheet (PDF)
3dd13001p1.pdf

NPN R 3DD13001 P1 3DD13001 P1 NPN VCEO 400 V IC 0.2 A Ptot Ta=25 0.6 W
3dd13001p.pdf

NPN R 3DD13001 P 3DD13001 P NPN VCEO 400 V IC 0.17 A Ptot Ta=25 0.6 W
3dd13001.pdf

3DD13001 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADBCLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 3DD13001-A 3DD13001-B E CFRange 17~23 20~26 G H1Base 1113 2Collector 222Emitter 3Emitter 333
3dd13001b.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13001B TRANSISTOR (NPN)FEATURE power switching applications TO-92 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Equivalent Circuit 1300113001=Device code S 6B S 6B=Code 1ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 3DD13001B TO-92 Bulk 1000pcs/BagB-TA
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History: BD505-1 | HED880 | MJ2249 | SD1134-05 | BFG520-X | ZTX213C | MT3S111TU
History: BD505-1 | HED880 | MJ2249 | SD1134-05 | BFG520-X | ZTX213C | MT3S111TU



Liste
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