2N859 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N859
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO18
Otros transistores... 2N848 , 2N849 , 2N84A , 2N85 , 2N850 , 2N851 , 2N852 , 2N858 , 2SC2655 , 2N86 , 2N860 , 2N861 , 2N862 , 2N863 , 2N864 , 2N864A , 2N865 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS