3DD13007B8 Todos los transistores

 

3DD13007B8 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13007B8

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de 3DD13007B8

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD13007B8 datasheet

 ..1. Size:154K  crhj
3dd13007b8.pdf pdf_icon

3DD13007B8

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 6.1. Size:376K  1
3dd13007k.pdf pdf_icon

3DD13007B8

 6.2. Size:767K  jiangsu
3dd13007n36f.pdf pdf_icon

3DD13007B8

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistor 3DD13007N36F TRANSISTOR (NPN) TO-220F FEATURES Power switching applications 1. BASE 1 2 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER 13007N=Device code Equivalent Circuit Solid dot=Green moldinn compound device, if none,the normal device 13007N 36F=Code 36F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unl

 6.3. Size:274K  lge
3dd13007.pdf pdf_icon

3DD13007B8

3DD13007(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 8

Otros transistores... 3DD13005G3D , 3DD13005G7D , 3DD13005G8D , 3DD13005GRD , 3DD13005N7D , 3DD13005N8D , 3DD13005P8D , 3DD13007 , 2N3055 , 3DD13007H8D , 3DD13007X1 , 3DD13007Y8 , 3DD13007Z7 , 3DD13007Z8 , 3DD13009 , 3DD13009A8 , 3DD13009AN .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907

 

 

↑ Back to Top
.