3DD31C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD31C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO220
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3DD31C datasheet
3dd31c.pdf
TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP32(3CD32) Features Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.
3dd31ct4.pdf
LJ2015-46 3DD31CT4 NPN P T =25 1 W tot A I 3 A C I 5 A CM T 150 jm T -55 150 stg V I =1mA 100 V (BR)CBO CB V I =1mA 100 V (BR)CEO CE V I =1mA 5.0 V (BR)EBO EB I V =60V 50 A CEO CB I V =5V 0.1 mA EBO CE I =3A C V 1.2 V C
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History: 3DD31CT4 | DN0150BLP4
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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