3DD4013B1D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD4013B1D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD4013B1D
3DD4013B1D Datasheet (PDF)
3dd4013b1d.pdf
NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013a6d.pdf
NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W
3dd4013 a1d.pdf
NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013 b1d.pdf
NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013 a6d.pdf
NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W
3dd4013a1d.pdf
NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
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