3DD53 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD53
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO276AB TO220 TO257
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3DD53 datasheet
3dd53.pdf
3DD53 3DD54 NPN A B C D E F PCM TC=75 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.2 mA
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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