3DD56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD56
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO276AB TO220 TO257
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3DD56 datasheet
3dd56.pdf
3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA
3dd5605z.pdf
NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD5605Z MAIN CHARACTERISTICS Package I 5A C V 600V CEO P 100W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hig
3dd5606.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5606 DESCRIPTION High breakdown voltage High switching speed High current capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
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Liste
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