3DD56 Todos los transistores

 

3DD56 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD56
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
 

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3DD56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  china
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3DD56

3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA

 0.1. Size:534K  jilin sino
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3DD56

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD5605Z MAIN CHARACTERISTICS Package I 5A CV 600V CEOP 100W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hig

 0.2. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd5606.pdf pdf_icon

3DD56

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5606DESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lighElectronic ballastsHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

Otros transistores... 3DD505 , 3DD507 , 3DD51 , 3DD510 , 3DD511 , 3DD512 , 3DD515 , 3DD53 , D882 , 3DD57 , 3DD58 , 3DD59 , 3DD5A , 3DD5G , 3DD6 , 3DD60 , 3DD6012A6 .

 

 
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