3DD7525A3 Todos los transistores

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3DD7525A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD7525A3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 1100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 750 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD7525A3

3DD7525A3 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd7525a3.pdf Size:146K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD7525 A3 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD7525 A3 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 750 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 30 结构

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