3DG101 Todos los transistores

 

3DG101 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG101

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO18

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3DG101 datasheet

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3DG101

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3DG101

3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

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3DG101

3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A

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3DG101

3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

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History: 3DF05 | DSS4240V | 3DG1009A | 3DF1

 

 

 

 

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