3DG102 Todos los transistores

 

3DG102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG102
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO92 SOT23 TO18
 

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3DG102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  china
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3DG102

3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.1. Size:127K  china
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3DG102

3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.2. Size:127K  china
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3DG102

3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A

 9.3. Size:205K  china
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3DG102

3DG101 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 30 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.01 A

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History: 2S42 | 2SC3082 | GD241A | 2SA1648 | NST847AMX2 | 2SC430 | IMH14AFRA

 

 
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