3DG1047 Todos los transistores

 

3DG1047 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG1047
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG1047 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  foshan
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3DG1047

2SC1047(3DG1047) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: Optimum for RF amplification of FM/AM radios. Features: High transition frequency f . T/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3 V

 9.1. Size:127K  china
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3DG1047

3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.2. Size:127K  china
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3DG1047

3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A

 9.3. Size:127K  china
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3DG1047

3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

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History: CENW14 | SRA2201E | 2SC2488 | BDY69 | MMUN2213LT1G | BUV56 | 2G319

 

 
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