3DG1627A Todos los transistores

 

3DG1627A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG1627A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92L
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG1627A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  foshan
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3DG1627A

2SC1627A(3DG1627A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SA817A(3CG817A) Features: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817A(3CG817A)./Absolute maximum ratings(Ta=25

 0.1. Size:386K  foshan
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3DG1627A

2SC1627AF(3DG1627AF) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SA817AF(3CG817AF) Features: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(3CG817AF). /Absolute maximum ratings(

 8.1. Size:114K  china
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3DG1627A

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 8.2. Size:264K  foshan
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3DG1627A

2SC1623(3DG1623) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency general amplifier application. : h , V 2SA812(3CG812)/Features: High h and V , complementary pair FE CEO, FE CEOwith 2SA812(3CG812). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V

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History: UN2219 | 2SC3121 | 2N356 | 2SA557 | 2SD17 | 2SB130

 

 
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