3DG1740S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG1740S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO92S
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3DG1740S datasheet
3dg1740s.pdf
2SC1740S(3DG1740S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. , 2SA933AS(3CG933AS) Features Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933AS(3CG933AS). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60
3dg1740m.pdf
2SC1740M(3DG1740M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. , 2SA933M(3CG933M) Features Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933M(3CG933M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V
3dg1741am.pdf
2SC1741AM(3DG1741AM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power transistor . ,VCE(sat) Features High I , Low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 0.5 A
3dg1741s.pdf
2SC1741S(3DG1741S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power transistor. , Features High I , Low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0 V EBO I 500 mA C P 200 mW C T
Otros transistores... 3DG160 , 3DG161 , 3DG162 , 3DG1623 , 3DG1627A , 3DG1627AF , 3DG1675 , 3DG1740M , 2SC828 , 3DG1741AM , 3DG1741S , 3DG180 , 3DG1809 , 3DG181 , 3DG1815 , 3DG1815M , 3DG182 .
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Liste
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