3DG1741S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3DG1741S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92S

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG1741S

3DG1741S Datasheet (PDF)

..1. Size:286K lzg
3dg1741s.pdf

2SC1741S(3DG1741S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor. :, Features: High I , Low V . C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0 V EBO I 500 mA C P 200 mW C T

7.1. Size:362K foshan
3dg1741am.pdf

2SC1741AM(3DG1741AM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor . : ,VCE(sat) Features: High I , Low V . C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 0.5 A

8.1. Size:319K foshan
3dg1740m.pdf

2SC1740M(3DG1740M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. :, 2SA933M(3CG933M) Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933M(3CG933M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V

8.2. Size:310K lzg
3dg1740s.pdf

2SC1740S(3DG1740S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. :, 2SA933AS(3CG933AS) Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933AS(3CG933AS). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 3DG1859

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050