3DG19A Todos los transistores

 

3DG19A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG19A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT23

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3DG19A datasheet

 ..1. Size:107K  china
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3DG19A

3DG19A NPN PCM TA=25 250 mW ICM 600 mA Tjm 150 Tstg -65 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 180 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=120V 0.05 A IEBO VCE=4V 0.05 A IC=50mA VCEsat 0.2 V IB=5mA VCE=5V hFE 80 I

 9.1. Size:208K  foshan
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3DG19A

2SC1959(3DG1959) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , /Purpose Audio frequency power amplifier, driver stage amplifier and switching applications. h , 1W , 2SA562TM(3CG562TM) /Features Excellent h linearity FE FE 1 Watt output amplifier applications, complemen

 9.2. Size:227K  foshan
 3dg1959m.pdf pdf_icon

3DG19A

2SC1959M(3DG1959M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , /Purpose Audio frequency low power amplifier,driver stage amplifier and switching applications. h , 2SA562M(3CG562M) FE Features Excellent h Linearity, complementary pair with 2SA562M(3CG562M). FE

 9.3. Size:147K  lzg
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3DG19A

2SC1923(3DG1923) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR ,FM , Purpose High frequency, FM,RF,MIX,IF amplifier applications. , Features Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Ratin

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