3DG2235 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2235
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO92L
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3DG2235 datasheet
3dg2235.pdf
2SC2235(3DG2235) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Audio frequency amplifier and driver stage amplifier Applications. 2SA965(3CG965) /Features Complementary to 2SA965(3CG965). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 120 V CBO V 120 V
3dg2230.pdf
2SC2230(3DG2230) 2SC2230A(3DG2230A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , /Purpose High voltage general amplifier, color TV class B sound output applications. V , /Features High voltage, high DC current gain. CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 )
3dg2236.pdf
2SC2236(3DG2236) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SA966(3CG966) 3W /Features Complementary to 2SA966(3CG966) And 3 watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V
3dg2230a.pdf
2SC2230(3DG2230) 2SC2230A(3DG2230A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , /Purpose High voltage general amplifier, color TV class B sound output applications. V , /Features High voltage, high DC current gain. CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 )
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Liste
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