3DG2715 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2715
Código: HRR_HRO_HRY
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT23
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3DG2715 datasheet
3dg2715.pdf
2SC2715(3DG2715) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High frequency amplifier applications. Features High power gain, recommended for FM IF,OSC stage and AM CONV.IF stage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Sy
3dg2710.pdf
2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO
3dg2717.pdf
2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I
3dg2717m.pdf
2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO
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History: 3DG2736
History: 3DG2736
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