3DG2839 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2839
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO92S
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3DG2839 datasheet
3dg2812.pdf
2SC2812(3DG2812) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 300 mA cp P 200 mW C T 150 j T -55 150
Otros transistores... 3DG2717 , 3DG2717M , 3DG2732 , 3DG2734 , 3DG2736 , 3DG2785 , 3DG2786 , 3DG2812 , 2SD313 , 3DG2873 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 3DG2999 , 3DG302 .
History: 3DG2736
History: 3DG2736
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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