3DG380TM Todos los transistores

 

3DG380TM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG380TM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG380TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  lzg
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3DG380TM

2SC380TM(3DG380TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier applications. ::G =29dB()(f=10.7MHz) peFeatures: High power Gain: G =29dB(Typ.)(f=10.7MHz). pe/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO 35 V V 30 V

 9.1. Size:187K  foshan
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3DG380TM

2SC3841(3DG3841) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: For use as UHF oscillator and a UHF mixer in a turner of a TV receiver. :- Features: High f ,low collector to base time constant, low output capacita

 9.2. Size:324K  foshan
 3dg3838k.pdf pdf_icon

3DG380TM

2SC3838K(3DG3838K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Features: High f small NF. T, /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 11 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical charac

 9.3. Size:207K  lzg
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3DG380TM

2SC383TM(3DG383TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose:TV final picture IF amplifier applications. ::G =33dB()(f=45MHz),h pe FEFeatures:High gain: G =33dB(Typ)(f=45MHz),good linearity of h . pe FE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol R

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