3DG4097 Todos los transistores

 

3DG4097 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG4097
   Código: HCP_HCQ_HCR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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3DG4097 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  lzg
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3DG4097

2SC4097(3DG4097) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor. :, 2SA1577(3CG1577) Features: Low C , complements the 2SA1577(3CG1577). ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0

 9.1. Size:144K  crhj
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3DG4097

NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W

 9.2. Size:215K  lzg
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3DG4097

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

 9.3. Size:206K  lzg
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3DG4097

2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

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History: 2SA1452O | GD150 | BD744F | DSS20201L | 2SA1646 | NTE2554 | FJX4011R

 

 
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