3DK29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK29
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DK29
3DK29 Datasheet (PDF)
3dk29.pdf
3DK29 NPN A B C D PCM TC=25 1000 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 40 25 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCE=10V 2.0 A IEBO VEB=4V 1.0
3dk29-ii.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK29-IINPN Silicon High Frequency M-Power Switch Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency small signal
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050