3DK3B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK3B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
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3DK3B datasheet
3dk3b.pdf
3DK3B NPN PCM TC=25 100 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=4V 0.1 A VBEsat 0.9 IC=10mA V IB=1mA
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History: BCF92B | 2SD1052 | 2SD1045
History: BCF92B | 2SD1052 | 2SD1045
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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