2N3250AUB Todos los transistores

 

2N3250AUB . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3250AUB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N3250AUB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  microsemi
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2N3250AUB

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland. 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323 DEVICES LEVELS 2N3250A 2N3251A JAN 2N3250AUB 2N3251AUB JANTX JAN

 8.1. Size:88K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS 2N3250, A/ 2N3251,A TO-18 Metal Can PackageDesigned for Small Signal, General Purpose and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS2N3250 2N3250ADESCRIPTION SYMBOL UNIT2N3251 2N3251AVCEOCollector Emitter Voltage 40 60 VVCBOCollector Bas

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History: 2SC5913 | 2N722 | D60T7060 | BU724 | BSV43B | ECG297 | HS5821

 

 
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