2N3439CSM4R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N3439CSM4R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 450 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3439CSM4R

2N3439CSM4R Datasheet (PDF)

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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439CSM4 / 2N3439CSM4R 2N3440CSM4 / 2N3440CSM4R High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) 2N3439 2N3440Symbols Parame

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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439C3A / 2N3440C3A 2N3439C3B / 2N3440C3B 2N3439C3C / 2N3440C3C High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Variant B to MIL-PRF-19500/368 outline Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

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