2N93 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N93
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de 2N93
2N93 Datasheet (PDF)
2n930 2n930ub.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/253L completed by 7 July 2011. 7 April 2011 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/253K 3 July 2008 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER, TYPES 2N930 AND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC, JANSM,
2n930 a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N9302N930ATO-18Metal Can PackageLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL 2N930 2N930A UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 60 VVCBOCollector Base Voltage 45 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5 6 VICCollector Current Continuous
Otros transistores... 2N925 , 2N926 , 2N927 , 2N928 , 2N929 , 2N929-46 , 2N929-51 , 2N929A , BC327 , 2N930 , 2N930-46 , 2N930-51 , 2N930A , 2N930A-46 , 2N930A-51 , 2N930B , 2N930CSM .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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