2N930CSM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N930CSM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 45 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N930CSM

2N930CSM Datasheet (PDF)

9.1. Size:728K no
2n930 2n930ub.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/253L completed by 7 July 2011. 7 April 2011 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/253K 3 July 2008 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER, TYPES 2N930 AND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC, JANSM,

9.2. Size:246K cdil
2n930 a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N9302N930ATO-18Metal Can PackageLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL 2N930 2N930A UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 60 VVCBOCollector Base Voltage 45 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5 6 VICCollector Current Continuous

9.3. Size:147K microelectronics
2n3548 2n930.pdf