4SDG110K Todos los transistores

 

4SDG110K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4SDG110K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: DIP14A
 

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4SDG110K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  china
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4SDG110K

4SDG110K NPN A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.2 A IEBO VEB=2V 0.2 A

 7.1. Size:138K  china
 4sdg110.pdf pdf_icon

4SDG110K

4SDG110 NPN A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

Otros transistores... 30C02MH-TL-H , 4N1815PGP , 4N772GP , 4SCG110 , 4SCG120K , 4SCG160 , 4SCG5714 , 4SDG110 , A1941 , 50A02CH-TL-E , 50A02CH-TL-H , 50A02MH-TL-E , 50A02SS-TL-E , 50C02CH-TL-E , 50C02MH-TL-E , 50C02SS-TL-E , 5487-1 .

History: 2SC5395

 

 
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