4SDG110K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4SDG110K

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: DIP14A

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4SDG110K datasheet

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4SDG110K

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4SDG110K

4SDG110 NPN A B C PCM Ta=25 300 4 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

Otros transistores... 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714, 4SDG110, D882, 50A02CH-TL-E, 50A02CH-TL-H, 50A02MH-TL-E, 50A02SS-TL-E, 50C02CH-TL-E, 50C02MH-TL-E, 50C02SS-TL-E, 5487-1