50A02CH-TL-E Todos los transistores

 

50A02CH-TL-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 50A02CH-TL-E
   Código: AX
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 690 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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50A02CH-TL-E Datasheet (PDF)

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50A02CH-TL-E

Ordering number : ENN748750A02CHPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor50A02CHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive, muting circuit.2150A[50A02CH]Features2.90.150.4 Large current capacitance.3 Low collector-to-emitter saturation volt

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50A02CH-TL-E

50A02CH Bipolar Transistor -50V, -0.5A, Low VCE(sat), PNP Single www.onsemi.com Features High Collector Current Capability Low Collector to Emitter Saturation Voltage (Resistance): RCE(sat) typ=210m [IC=0.5A, IB=50mA] ELECTRICAL CONNECTION Low ON-Resistance (Ron) Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance 31: Base1 2 : EmitterTypical Applications 3

 7.3. Size:464K  onsemi
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50A02CH-TL-E

Ordering number : EN7487B50A02CHBipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )50V, 0.5A, Low VCE sat PNP Single CPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive, muting circuitFeatures High collector current capability Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=210m [IC=0.5A, IB=50mA] Low ON-res

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