B564A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: B564A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 110 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO92
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B564A datasheet
b564a.pdf
B564A PNP silicon APPLICATION AMPLIFIER APPLICATIONSWITCH APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -30 V Collector-emitter voltage VCEO -25 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -1.0 A Collector Power Dissipation PC 800 mW Junction Temperature TJ 150 Storage
ksb564a.pdf
KSB564A Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD471A Collector Current IC = -1A Collector Power Dissipation PC = 800mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units V
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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