2N969 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N969
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 17
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
2N969 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N963 , 2N964 , 2N964-46 , 2N964A , 2N965 , 2N966 , 2N967 , 2N968 , 2SD2012 , 2N97 , 2N970 , 2N971 , 2N972 , 2N973 , 2N974 , 2N975 , 2N976 .
History: 2SA812-M4 | 2SC765 | 2SB443A | 2N5862 | DTC123JEB | NKT108 | KRC663U
History: 2SA812-M4 | 2SC765 | 2SB443A | 2N5862 | DTC123JEB | NKT108 | KRC663U



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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