BCY71DCSM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCY71DCSM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: LCC2

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BCY71DCSM datasheet

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BCY71DCSM

SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR BCY71DCSM Low Current / Low Voltage Transistor In A Dual Ceramic Hermetic Package Designed For General Purpose Industrial Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector - Base Voltage -45V VCEO Collector - Emitter Voltage -45V VE

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BCY71DCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D361 BCY70; BCY71 PNP general purpose transistors 1997 Jul 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCY70; BCY71 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 e

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BCY71DCSM

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCY70 , 71, 72 TO-18 Metal Can Package General Purpose Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BCY70 BCY71 BCY72 UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 40 45 25 V Collector Base Voltage VCB

Otros transistores... BCX19LT1G, BCX5616Q, BCY38A, BCY39A, BCY40A, BCY54A, BCY59DCSM, BCY70DCSM, BC547, BCY72DCSM, BCY78CSM, BCY78DCSM, BCY78-IX, BCY78-VII, BCY78-VIII, BCY78-X, BCY79-IX