BFT59CSM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFT59CSM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 110 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: LCC1
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BFT59CSM datasheet
bft59csm.pdf
BFT59CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 300V A = (0.04 0.004
bft59dcsm.pdf
BFT59DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 300V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.0
Otros transistores... BFT36A, BFT36L, BFT44S, BFT46DCSM, BFT57CSM, BFT57DCSM, BFT58CSM, BFT58DCSM, BD335, BFT59DCSM, BT2222, BT2222A, BT3904, BTA1012E3, BTA1015A3, BTA2039J3, BTB1184J3S
History: CA783 | MMBT6543
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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