CET3904E Todos los transistores

 

CET3904E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET3904E
   Código: C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.43 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT883L
 

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CET3904E Datasheet (PDF)

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CET3904E

CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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History: BD545A | 2SA904 | RN2909 | 2SD1296 | NSBC114EPDXV6T1G | BC317B | SAP16N

 

 
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