CET3906E Todos los transistores

 

CET3906E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET3906E
   Código: D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.43 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT883L

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CET3906E Datasheet (PDF)

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CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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CET3906E CET3906E

CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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CET3904E NPNCET3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CET3904E / SILICON TRANSISTORSCET3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package TLP, the

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History: 2SC1384L | 2N5249 | BCR573 | BUX50C | 2SD1103 | BUW49 | 3N91

 

 
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