CHUMZ1GP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHUMZ1GP

Código: *Z1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-363

 Búsqueda de reemplazo de CHUMZ1GP

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHUMZ1GP datasheet

 ..1. Size:227K  chenmko
 chumz1gp.pdf pdf_icon

CHUMZ1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHUMZ1GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Surface mount package. (SC-88/SOT-363) SC-88/SOT-363 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=4.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation current cap

Otros transistores... CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, 2SA1943, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209