CMST3410 Todos los transistores

 

CMST3410 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMST3410
   Código: C03
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.275 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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CMST3410 datasheet

 ..1. Size:401K  central
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CMST3410

CMST3410 NPN CMST7410 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410, SILICON TRANSISTORS CMST7410 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERmini surface mount package, designed for battery driven, handheld devices requiring high current and

 9.1. Size:402K  central
 cmst3904 cmst3906.pdf pdf_icon

CMST3410

CMST3904 NPN CMST3906 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904, SILICON TRANSISTORS CMST3906 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERmini surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MAR

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