CHT200PGP Todos los transistores

 

CHT200PGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHT200PGP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CHT200PGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  chenmko
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CHT200PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT200PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 5 AmpereFEATURE* Small flat package. (DPAK)* Low saturation voltage VCE(sat)=0.3V(max.)(IC=500mA) * High saturation current capability.DPAKCONSTRUCTION* NPN Switching Transistor.094 (2.38).086 (2.19).022 (0.55).018 (0.45)(1) (3)(2).028 (0.70).019 (0.50).035 (0.

 8.1. Size:140K  chenmko
 cht2000zgp.pdf pdf_icon

CHT200PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT2000ZGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 200 Volts CURRENT 0.6 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.156.50+0.20* Suitable for high packing density.0.90+0.052.0+0.33.00+0.10* High saturation curr

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