CHT807GP Todos los transistores

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CHT807GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHT807GP

Código: J4_J5_J6

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: SOT-23

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CHT807GP Datasheet (PDF)

1.1. cht807gp.pdf Size:115K _upd

CHT807GP
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT807GP SURFACE MOUNT PNP Muti-Chip General Purpose Amplifier VOLTAGE 45 Volts CURRENT 0.5 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Surface mount package. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High

5.1. cht8050gp.pdf Size:141K _upd

CHT807GP
CHT807GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT8050GP SURFACE MOUNT EPITAXIAL Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 700 mAmpere FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) * High DC current . SOT-23 CONSTRUCTION (1) * NPN transistors in one package. (3) (2) MARKING ( ) ( ) * D805 .055 1.40 .028 0.70 ( ) ( ) .047 1.20 .020 0.50 * E805 ( ) .103 2.64 .086 (2.20) ( ) .045 1.15 C (3) CIR

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