DSA7503 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSA7503
Código: 4E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 130
Encapsulados: SOT-89
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DSA7503 datasheet
dsa7503.pdf
DSA7503 Silicon PNP epitaxial planar type For low frequency amplification Unit mm Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol 4E Packaging DSA7503 0L Embossed type (Thermo-compression sealing) 1 000 pcs / reel (standard) Absolute Maximum Ratings Ta =
dsa7504.pdf
DSA7504 Silicon PNP epitaxial planar type For low frequency amplification Unit mm Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol 4F Packaging DSA7504 0L Embossed type (Thermo-compression sealing) 1 000 pcs / reel (standard) Absolute Maximum Ratings Ta =
dsa7506.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSA7506 Silicon PNP epitaxial planar type For low frequency amplification DSA8506 in MiniP3 type package Package Code Features MiniP3-F2-B Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Package dimension clicks here. Click! Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction Eco-fr
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