DSA8101 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSA8101
Código: 4C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: MT-2-A1-B
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DSA8101 datasheet
dsa8101.pdf
DSA8101 Total pages page Tentative DSA8101 Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency output amplification Marking Symbol 4C Package Code MT-2-A1-B Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Rating Unit 1. Emitter Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -80 V Pin name 2. Collector Collector-emitter voltage (Base open) VCEO -80 V 3. Base Emitter-base volta
dsa8102.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSA8102 Silicon PNP epitaxial planar type For low frequency output amplification DSA7102 in MT-2 through hole type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction MT-2-A2-B Eco-friendly Halogen-free package
Otros transistores... DSA7101 , DSA7102 , DSA7503 , DSA7504 , DSA7506 , DSA7U01 , DSA8003 , DSA8004 , TIP42C , DSA8102 , DSA8508 , DSA9001 , DSA9005 , DSA9402 , DSA9G01 , DSAF001 , DSAFG01 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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