DSA8508 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSA8508
Código: 4G
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: MT-2-A2-B
- Selección de transistores por parámetros
DSA8508 Datasheet (PDF)
dsa8508.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSA8508Silicon PNP epitaxial planar typeFor low frequency output amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction MT-2-A2-B Eco-friendly Halogen-free packagePackage dimension clicks here. Click!
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History: TTA0002 | 9018M | GSTU10040 | TBC857 | BUX77ASMD | 2N1614 | STD01P
History: TTA0002 | 9018M | GSTU10040 | TBC857 | BUX77ASMD | 2N1614 | STD01P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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