DSC3F01 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSC3F01
Código: C7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1900 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: SSSMINI3-F2-B
- Selección de transistores por parámetros
DSC3F01 Datasheet (PDF)
dsc3f01.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSC3F01Silicon NPN epitaxial planar typeFor high-frequency amplificationDSC9F01 in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of componen
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: U2T101 | CTN491 | 2N3964DCSM | 2SC5105 | GS111D | ZTX789A | BD178
History: U2T101 | CTN491 | 2N3964DCSM | 2SC5105 | GS111D | ZTX789A | BD178



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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