DSC5G02 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSC5G02
Código: C5
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 450 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 65
Encapsulados: SMINI3-F2-B
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DSC5G02 datasheet
dsc5g02.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC5G02 Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification DSC2G02 in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SMini3-F2-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count
dsc5g03.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC5G03 Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification DSC2G03 in SMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SMini3-F2-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component co
Otros transistores... DSC4501 , DSC5001 , DSC5002 , DSC5005 , DSC5501 , DSC5A01 , DSC5C01 , DSC5F01 , TIP42 , DSC5G03 , DSC7003 , DSC7004 , DSC7101 , DSC7102 , DSC7505 , DSC7Q01 , DSC8003 .
History: DSC5G03
History: DSC5G03
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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