DSC7Q01 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSC7Q01
Código: 5K
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 4000
Paquete / Cubierta: SOT-89
- Selección de transistores por parámetros
DSC7Q01 Datasheet (PDF)
dsc7q01.pdf

DSC7Q01Silicon NPN epitaxial planar type darlingtonFor low frequency amplificationUnit: mmDarlington connection Features High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: 5K PackagingDSC7Q010L Em
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: UPT612 | PBSS305ND | DDA124EH | 2SC1102 | BC817-40 | D45VH4 | 2SC2531
History: UPT612 | PBSS305ND | DDA124EH | 2SC1102 | BC817-40 | D45VH4 | 2SC2531



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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