EMX3FHA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMX3FHA
Código: X3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: EMT6
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EMX3FHA datasheet
emx3fha.pdf
AEC-Q101 Qualified General purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 EMX3FHA / UMX3NFHA / IMX3FRA Features Dimensions (Unit mm) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX3 EMX3FHA ( ) ( ) 4 3 ( ) ( ) 5 2 Inner circuits ( ) ( ) 6 1 1.2 1.6 EMX3FHA / UMX3NFHA IMX3FRA EMX3 / UMX3N IMX3 (3) (2) (1) (4) (5) (6) Tr2 Tr2 Tr1 Tr1 ROHM EMT6 Each le
emx3fha umx3nfha imx3fra.pdf
AEC-Q101 Qualified General purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 EMX3FHA / UMX3NFHA / IMX3FRA Features Dimensions (Unit mm) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX3 EMX3FHA ( ) ( ) 4 3 ( ) ( ) 5 2 Inner circuits ( ) ( ) 6 1 1.2 1.6 EMX3FHA / UMX3NFHA IMX3FRA EMX3 / UMX3N IMX3 (3) (2) (1) (4) (5) (6) Tr2 Tr2 Tr1 Tr1 ROHM EMT6 Each le
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History: BD307B
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