EMX18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMX18
   Código: X18
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: EMT6

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar EMX18

EMX18 Datasheet (PDF)

..1. Size:56K rohm
emx18.pdf

EMX18 / UMX18N Transistors General purpose transistors (dual transistors) EMX18 / UMX18N External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package. EMX182) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic (4) (3)mounting machines. (5) (2)(6) (1)3) Transistor elements are independent, eliminating 1.21.6 interference. 4) Mounting cost a

..2. Size:1343K rohm
emx18 umx18n.pdf

EMX18 / UMX18NDatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363VCEO12VIC500mA EMX18 UMX18N(EMT6) (UMT6) lFeatures lInner circuitl l1)Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package.2)Mounting possible

0.1. Size:165K chenmko
chemx18gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMX18GPSURFACE MOUNTDual Silicon TransistorVOLTAGE 15 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Small Signal Amplifier .FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* Low saturation voltage VCE(sat)=0.25V(max.)(IC=200mA) * Low cob. Cob=7.5pF(Typ.)* PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded.* High saturation current capabi

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050