DMBT3906 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMBT3906

Código: 2A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-23

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DMBT3906 datasheet

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DMBT3906

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT3906 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose switching and amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85

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DMBT3906

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT3904 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose switching and amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85

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