PBSM5240PFH Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBSM5240PFH

Código: 1T

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: SOT-1118

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PBSM5240PFH datasheet

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PBSM5240PFH

PBSM5240PFH 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Rev. 1 20 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6

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PBSM5240PFH

PBSM5240PF 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Rev. 2 20 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Fea

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