LS312 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LS312
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO-78 TO-71
Búsqueda de reemplazo de LS312
LS312 datasheet
ls310 ls311 ls312 ls313.pdf
LS310 LS311 LS312 LS313 MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTORS FEATURES VERY HIGH GAIN hFE 200@10 A-1mA TO71 & TO78 TIGHT VBE MATCHING VBE1 -VBE1 = 0.2mV TYP. HIGH fT 250MHz TYP. @ 1mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1 @ 25 C (unless otherwise noted) 5 3 E2 E1 Collector 6 2 IC 10mA B2 B1 Current 7 1 Maximum Temperatures C2 C1 Storage Temperature -65 to +150 C
Otros transistores... LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , D965 , LS313 , LS3250A , LS3250B , LS3250C , LS350 , LS351 , LS352 , LS3550A .
History: LS3250B
History: LS3250B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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