MMBT2222A-G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBT2222A-G  📄📄 

Código: 1P

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-23

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MMBT2222A-G datasheet

 ..1. Size:141K  comchip
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MMBT2222A-G

Small Signal Transistor MMBT2222A-G (NPN) RoHS Device Features SOT-23 -NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and amplifier application. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 Mechanical data 0.055(1.40) 0.047(1.20) -Case SOT-23, molded plastic. 1 2 0.079(2.00) 0.071(1.80) -Terminals solderable per MIL-STD-750, method 2026. 0.006(0.15) 0.003(0.08) -Approx. weight 0

 4.1. Size:141K  comchip
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MMBT2222A-G

Small Signal Transistor MMBT2222A-HF (NPN) RoHS Device Halogen Free Features SOT-23 -NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and amplifier application. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 Mechanical data 0.055(1.40) 0.047(1.20) -Case SOT-23, molded plastic. 1 2 0.079(2.00) 0.071(1.80) -Terminals solderable per MIL-STD-750, method 2026. 0.006(0.15) 0.003(0.08) -Ap

 4.2. Size:4241K  msksemi
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MMBT2222A-G

www.msksemi.com MMBT2222A-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (NPN) FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A- MS) 1. BASE MARKING 1P 2. EMITTER SOT 23 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO 40 V Collector-Em

 4.3. Size:930K  cn salltech
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MMBT2222A-G

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